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La temperatura de transición de fase metal-semiconductor del dióxido de vanadio se puede reducir a temperatura ambiente o más baja mediante dopaje con tungsteno.
El revestimiento de mezcla de nanopartículas de dióxido de vanadio dopado con tungsteno puede mostrar propiedades termocrómicas a temperatura ambiente. Su valor de aplicación potencial incluye películas de atenuación de edificios, materiales de termistor, materiales de conmutación fotoeléctrica, elementos de imágenes infrarrojas.
origen del producto:
ChinaArtículo No.:
WP501Puerto de embarque:
Guangzhou, Shanghaicolor:
blacktiempo de espera:
in stockLa temperatura de transición de fase metal-semiconductor del dióxido de vanadio se puede reducir a temperatura ambiente o más baja mediante dopaje con tungsteno.
Producto: Nanopartículas de dióxido de vanadio dopadas con tungsteno
Fórmula: W-VO2
Dopado: 1% W, 1.5W%, 2% W, personalizado
Tamaño de partícula: 100-200 nm
Pureza: ≥99%
Color: negro grisáceo
El método de dopaje es el método principal para reducir la temperatura de transición de fase de VO2.
B Por pulverización catódica con magnetrón, se han obtenido películas delgadas de VO2 con una resistencia que varía en dos órdenes de magnitud sobre obleas de silicio. Se probaron las propiedades eléctricas de las películas. Los resultados muestran que la temperatura de transición de fase de la película de dióxido de vanadio dopada con tungsteno es más baja que la de la película de dióxido de vanadio puro, y también se reduce la transmitancia del infrarrojo cercano de la película de dióxido de vanadio dopada con tungsteno.
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Dióxido de nano vanadio dopado con tungsteno con temperatura de transición de fase de 30 grados W dopado VO2siguiente :
El detector de radiación infrarroja utilizó el material nano VO2 del cambio de fase del nanopolvo del dióxido de vanadioenvíenos un correo electrónico con cualquier pregunta o consulta o utilice nuestros datos de contacto. estaremos encantados de responder sus preguntas.
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